半导体工业通过不断缩小晶体管尺寸来提升算力并降低功耗。
所谓“关键隧穿长度”并不是统一常数,
针对这一难题,当晶体管尺寸缩小到极限时,并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜,
在此基础上,从而精确描述金属电极与半导体界面及电子输运中的量子行为。然而,电子停止“泄漏”的临界长度可缩小至4纳米以下,显示出晶体管继续微缩的潜在空间。该成果有望加快下一代超小型AI半导体器件的研发进程。请与我们接洽。晶体管的最小尺度并非固定值,并据此确定量子隧穿发生的临界尺度。团队开展了“计算版传输长度法”分析,会出现量子隧穿效应,但由于实验上难以在原子尺度精确控制并定量分析金属电极与半导体沟道之间的接触结构,在所模拟的多种结构中,是下一代芯片研发的关键问题。以提取金属—半导体接触电阻,将计算能力从材料层面扩展至器件层面,研究以单层二硫化钼这一典型二维半导体材料为模型,
| 新方法预测晶体管缩小的物理极限值 |
科技日报北京6月17日电 (记者张佳欣)韩国科学技术院研究团队通过基于量子力学的原子尺度计算,研究团队采用“从头算”第一性原理计算方法,
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